靜電，靜電放電以多種不同方式影響電子組件。較大的靜態(tài)電壓會進入設(shè)備并損壞復(fù)雜的內(nèi)部電路。

靜電的影響變得更加明顯，因為MOS技術(shù)的所有形式的高輸入阻抗都意味著不會消散電壓，而且極高的電壓很容易損壞導(dǎo)體和絕緣屏障的小尺寸。

隨著集成電路特征尺寸的減小，這意味著設(shè)備變得更容易受到靜電損壞。

ESD敏感度在查看ESD對電子設(shè)備的影響時，值得一看的是設(shè)備本身，以及它們?nèi)绾问艿紼SD的影響。

發(fā)現(xiàn)某些電子設(shè)備比其他電子設(shè)備對ESD更敏感。但是，從問題的角度來看，值得將靜態(tài)電平與電源電壓相關(guān)聯(lián)。人們不會考慮向邏輯器件施加甚至五十伏的電壓。在沒有任何ESD保護措施的情況下，通過處理它們，可以向它們施加幾千伏的靜態(tài)電壓。

對ESD最敏感的設(shè)備通常是那些包括MOS-金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)備。這些設(shè)備具有很高的阻抗，不允許電荷以更受控的方式消散。但是，這并不意味著雙極器件不受損壞。

最低250V的靜態(tài)電壓可能會損壞標準CMOS芯片。其中包括74HC和74HCT邏輯系列，因為它們的電流消耗較低，因此在許多使用“膠粘邏輯”的設(shè)計中被廣泛使用。但是，許多新的微處理器和LSI芯片使用的特征尺寸非常小，并且無法承受此類電壓，因此它們對ESD非常敏感。通過在5 V的電源電壓下運行它們會破壞許多新設(shè)備，并且它們更容易受到ESD損壞。

邏輯設(shè)備并不是唯一需要采取防靜電措施的設(shè)備。用于射頻應(yīng)用的GaAsFET極易損壞，并可能被低至100V的靜態(tài)電壓破壞。ESD也會影響其他形式的分立FET。再次經(jīng)常用于許多RF應(yīng)用的MOSFET非常敏感。

甚至普通的雙極型晶體管也可能會被約500V的電勢損壞。對于較新的晶體管而言尤其如此，其可能具有更小的內(nèi)部幾何形狀以提供更高的工作頻率。這僅是很少的ESD敏感性水平的廣泛指示。但是，這表明所有半導(dǎo)體設(shè)備都應(yīng)被視為靜電敏感設(shè)備，即SSD。

如今，不僅半導(dǎo)體設(shè)備被視為SSD。在某些地區(qū)，甚至無源組件也開始被視為對靜電敏感。隨著小型化的趨勢，單個電子元件正變得越來越小。這使它們對ESD損壞的影響更加敏感。

靜電放電機制靜電放電（ESD）的影響取決于大量變量。其中大多數(shù)很難量化。積聚的靜電水平會根據(jù)所涉及的材料，一天中的濕度甚至人的身材而有所不同。每個人都代表一個電容器，在其上保持電荷。一般人代表一個約300 pF的電容器，但是一個人與另一個人的電容會有很大差異。

放電發(fā)生的方式也不同。通常，電荷會很快消散：通常不到100納秒。在這段時間內(nèi)，峰值電流可能會上升到二十或三十安培。峰值電流和放電時間取決于多種因素。但是，如果使用金屬物體（例如鑷子或尖嘴鉗），則與通過手指放電相比，電流峰值更高，并且在更短的時間內(nèi)即可達到。這是因為金屬為放電提供了低得多的電阻路徑。但是，無論采用哪種放電方式，都會消耗相同量的電荷。

IEC61000-4-2和其他模擬波形為了消除ESD并防止由此造成的損壞，有必要查看可能發(fā)生的不同情況并對其進行表征。這些情況將表現(xiàn)出不同的電壓累積水平，不同的充電水平和不同的放電特性。當前，有許多方法可以在制造環(huán)境中對集成電路的ESD性能進行評級。三種常見方法包括：

HBM：   人體模型-該模型模擬被充電的人，然后通過裸露的手指通過被測電路對地面進行放電。MM：   機器模型-此模型模擬帶電的制造機器，通過設(shè)備放電到地面。機器將具有導(dǎo)電表面，因此產(chǎn)生的電流水平可能更高，但時間更短。CDM：   帶電設(shè)備模型-這模擬集成電路被充電然后放電到接地的金屬表面。增益短，但可能會遇到高電流水平。這些方法在制造環(huán)境中測試IC時效果很好，但不適用于系統(tǒng)級應(yīng)用。為此，包括手機，MP3播放器，數(shù)碼相機以及更多具有外部連接的電子產(chǎn)品需要能夠承受靜電放電。

IEC61000-4-2標準定義了電子設(shè)備應(yīng)承受的標準測試條件。它假定用戶不會采取任何預(yù)防措施來防止ESD損壞，并且它定義了設(shè)備應(yīng)承受的各種等級。

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